casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SJPL-H6
codice articolo del costruttore | SJPL-H6 |
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Numero di parte futuro | FT-SJPL-H6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPL-H6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, J-Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SJP |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPL-H6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SJPL-H6-FT |
189NQ150-1
SMC Diode Solutions
189NQ150R-1
SMC Diode Solutions
240NQ020-1
SMC Diode Solutions
240NQ035-1
SMC Diode Solutions
240NQ040-1
SMC Diode Solutions
241NQ035-1
SMC Diode Solutions
241NQ040-1
SMC Diode Solutions
244NQ035-1
SMC Diode Solutions
244NQ040-1
SMC Diode Solutions
245NQ015-1
SMC Diode Solutions
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel