casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 189NQ150R-1
codice articolo del costruttore | 189NQ150R-1 |
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Numero di parte futuro | FT-189NQ150R-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
189NQ150R-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 4500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
189NQ150R-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 189NQ150R-1-FT |
STTH1R06RL
STMicroelectronics
STPS2L60
STMicroelectronics
STTH102
STMicroelectronics
STPS1150RL
STMicroelectronics
STTH1R02
STMicroelectronics
STTH1R02RL
STMicroelectronics
STTH108
STMicroelectronics
STTH110RL
STMicroelectronics
STTH1L06
STMicroelectronics
STTH1L06RL
STMicroelectronics
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel