casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 189NQ150-1
codice articolo del costruttore | 189NQ150-1 |
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Numero di parte futuro | FT-189NQ150-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
189NQ150-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 4500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | PRM1-1 (Half Pak Module) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
189NQ150-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 189NQ150-1-FT |
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STTH1R06RL
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XC7A75T-2FTG256I
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Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
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XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel