casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIZ720DT-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIZ720DT-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIZ720DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIZ720DT-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 10V |
Potenza - Max | 27W, 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-PowerPair™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PowerPair™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ720DT-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIZ720DT-T1-GE3-FT |
ALD1101APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110EPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111933PAL
Advanced Linear Devices Inc.
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel