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Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL
- Numero parte MFG
- ALD1110EPAL
- quantità disponibile
- 83490 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 5.19888
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Advanced Linear Devices Inc.
- Breve descrizione
- EPAD® MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- ALD1110EPAL.pdf
ALD1110EPAL specificazioni
| codice articolo del costruttore | ALD1110EPAL |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-ALD1110EPAL |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | EPAD® |
| ALD1110EPAL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 600mW |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ALD1110EPAL Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | ALD1110EPAL-FT |
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