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Advanced Linear Devices Inc. ALD111933PAL

Name: ALD111933PAL
Brand: Advanced Linear Devices Inc.
SKU: ALD111933PAL
Price: 2.952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (391 reviews)

Numero parte MFG: ALD111933PAL

quantità disponibile: 98390 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.952

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fabbricante: Advanced Linear Devices Inc.

Breve descrizione: EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ALD111933PAL.pdf

ALD111933PAL specificazioni

codice articolo del costruttore	ALD111933PAL
Numero di parte futuro	FT-ALD111933PAL
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	EPAD®
ALD111933PAL Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.5pF @ 5V
Potenza - Max	500mW
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD111933PAL Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ALD111933PAL-FT

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