casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISC050N10DX1SA1
codice articolo del costruttore | SISC050N10DX1SA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SISC050N10DX1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SISC050N10DX1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISC050N10DX1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISC050N10DX1SA1-FT |
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK6011DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
RJK6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJK6024DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJL6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation