casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK5030DPD-01#J2
codice articolo del costruttore | RJK5030DPD-01#J2 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK5030DPD-01#J2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
RJK5030DPD-01#J2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK5030DPD-01#J2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK5030DPD-01#J2-FT |
NTTFS015P03P8ZTAG
ON Semiconductor
NTTFS015P03P8ZTWG
ON Semiconductor
NVB072N65S3
ON Semiconductor
NVB110N65S3F
ON Semiconductor
NVD3055L104T4G-VF01
ON Semiconductor
NVD4810NT4G-TB01
ON Semiconductor
NVD5867NLT4G
ON Semiconductor
NVD5867NLT4G-TB01
ON Semiconductor
NVD6416ANLT4G-001
ON Semiconductor
NVHL027N65S3F
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel