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Renesas Electronics America RJL6018DPK-00#T0

Name: RJL6018DPK-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJL6018DPK-00#T0
Availability: InStock
Rating: 5.0 (183 reviews)

Numero parte MFG: RJL6018DPK-00#T0

quantità disponibile: 73720 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RJL6018DPK-00#T0.pdf

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RJL6018DPK-00#T0 specificazioni

codice articolo del costruttore	RJL6018DPK-00#T0
Numero di parte futuro	FT-RJL6018DPK-00#T0
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJL6018DPK-00#T0 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	265 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3830pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJL6018DPK-00#T0 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RJL6018DPK-00#T0-FT

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