casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / ALD1103PBL
codice articolo del costruttore | ALD1103PBL |
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Numero di parte futuro | FT-ALD1103PBL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ALD1103PBL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel Matched Pair |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40mA, 16mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD1103PBL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ALD1103PBL-FT |
SI4974DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4992EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4992EY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9926BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9926BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9933BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9934BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9934BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel