casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7335D1TR
codice articolo del costruttore | IRF7335D1TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF7335D1TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FETKY™ |
IRF7335D1TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7335D1TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7335D1TR-FT |
SI9934BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9945AEY-T1
Vishay Siliconix
SP8J1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J1TB
Rohm Semiconductor
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J2TB
Rohm Semiconductor
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel