casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIRA18DP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIRA18DP-T1-RE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIRA18DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIRA18DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 14.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA18DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIRA18DP-T1-RE3-FT |
STL3N80K5
STMicroelectronics
STL9N80K5
STMicroelectronics
STO33N60M6
STMicroelectronics
STO36N60M6
STMicroelectronics
STP12N65M2
STMicroelectronics
STP20N60M2-EP
STMicroelectronics
STP26N60M2
STMicroelectronics
STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
STW20N60M2-EP
STMicroelectronics
STW35N60M2-EP
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel