casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STO33N60M6
codice articolo del costruttore | STO33N60M6 |
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Numero di parte futuro | FT-STO33N60M6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M6 |
STO33N60M6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1515pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TOLL (HV) |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STO33N60M6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STO33N60M6-FT |
SI3453DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3J143TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DMT10H015SPS-13
Diodes Incorporated
DMT10H025SK3-13
Diodes Incorporated
DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
IRFD113PBF
Vishay Siliconix
SQ4005EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4050EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4064EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel