casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP20N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STP20N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STP20N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STP20N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP20N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP20N60M2-EP-FT |
DMT10H015SPS-13
Diodes Incorporated
DMT10H025SK3-13
Diodes Incorporated
DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
IRFD113PBF
Vishay Siliconix
SQ4005EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4050EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4064EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel