casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIRA00DP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIRA00DP-T1-RE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIRA00DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIRA00DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA00DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIRA00DP-T1-RE3-FT |
STL3N65M2
STMicroelectronics
STL3N80K5
STMicroelectronics
STL9N80K5
STMicroelectronics
STO33N60M6
STMicroelectronics
STO36N60M6
STMicroelectronics
STP12N65M2
STMicroelectronics
STP20N60M2-EP
STMicroelectronics
STP26N60M2
STMicroelectronics
STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
STW20N60M2-EP
STMicroelectronics
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation