casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIJA72ADP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIJA72ADP-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIJA72ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIJA72ADP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27.9A (Ta), 96A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.42 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIJA72ADP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIJA72ADP-T1-GE3-FT |
SUM36N20-54P-E3
Vishay Siliconix
SUM40N02-12P-E3
Vishay Siliconix
SUM40N10-30-E3
Vishay Siliconix
SUM40N15-38-E3
Vishay Siliconix
SUM45N25-58-E3
Vishay Siliconix
SUM47N10-24L-E3
Vishay Siliconix
SUM50020EL-GE3
Vishay Siliconix
SUM50N06-16L-E3
Vishay Siliconix
SUM50P10-42-E3
Vishay Siliconix
SUM60030E-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel