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codice articolo del costruttore | SIJA72ADP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIJA72ADP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIJA72ADP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27.9A (Ta), 96A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.42 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIJA72ADP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIJA72ADP-T1-GE3-FT |
SUM36N20-54P-E3
Vishay Siliconix
SUM40N02-12P-E3
Vishay Siliconix
SUM40N10-30-E3
Vishay Siliconix
SUM40N15-38-E3
Vishay Siliconix
SUM45N25-58-E3
Vishay Siliconix
SUM47N10-24L-E3
Vishay Siliconix
SUM50020EL-GE3
Vishay Siliconix
SUM50N06-16L-E3
Vishay Siliconix
SUM50P10-42-E3
Vishay Siliconix
SUM60030E-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel