casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUM60030E-GE3
codice articolo del costruttore | SUM60030E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUM60030E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM60030E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7910pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM60030E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUM60030E-GE3-FT |
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR880DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR890DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA34DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA50ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA50DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation