casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUM50020EL-GE3
codice articolo del costruttore | SUM50020EL-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SUM50020EL-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM50020EL-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11113pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM50020EL-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUM50020EL-GE3-FT |
SIR876ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR876DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR878ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR880DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR890DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel