casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHW47N60E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHW47N60E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHW47N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHW47N60E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHW47N60E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHW47N60E-GE3-FT |
SUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-T4-GE3
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SUD35N05-26L-E3
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Microchip Technology
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