casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHS20N50C-E3
codice articolo del costruttore | SIHS20N50C-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHS20N50C-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHS20N50C-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2942pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | SUPER-247™ (TO-274AA) |
Pacchetto / caso | TO-274AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHS20N50C-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHS20N50C-E3-FT |
SI4831DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4833ADY-T1-E3
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SI4833ADY-T1-GE3
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SI4840DY-T1-GE3
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Microsemi Corporation
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