casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4838BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4838BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4838BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4838BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5760pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4838BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4838BDY-T1-GE3-FT |
SI4398DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4401DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4401DY-T1-GE3
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SI4403BDY-T1-E3
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SI4403BDY-T1-GE3
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SI4403DDY-T1-GE3
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SI4404DY-T1-E3
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SI4404DY-T1-GE3
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SI4406DY-T1-E3
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SI4406DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel