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Vishay Siliconix SI4833BDY-T1-GE3

Name: SI4833BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4833BDY-T1-GE3
Price: 0.226448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (421 reviews)

Numero parte MFG: SI4833BDY-T1-GE3

quantità disponibile: 15470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.226448

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: LITTLE FOOT® MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SI4833BDY-T1-GE3.pdf

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SI4833BDY-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SI4833BDY-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SI4833BDY-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	LITTLE FOOT®
SI4833BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 15V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4833BDY-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SI4833BDY-T1-GE3-FT

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