casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHG24N65EF-GE3
codice articolo del costruttore | SIHG24N65EF-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHG24N65EF-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHG24N65EF-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2774pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG24N65EF-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHG24N65EF-GE3-FT |
SUD50N024-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N04-09H-E3
Vishay Siliconix
SUD50N06-08H-E3
Vishay Siliconix
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHD7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHFR1N60ATR-GE3
Vishay Siliconix
SQD15N06-42L_GE3
Vishay Siliconix
SQD25N06-22L_GE3
Vishay Siliconix
SQD35N05-26L-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel