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Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3

Name: SIHD2N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD2N80E-GE3
Price: 0.53792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (174 reviews)

Numero parte MFG: SIHD2N80E-GE3

quantità disponibile: 71280 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.53792

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: E MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIHD2N80E-GE3.pdf

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SIHD2N80E-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIHD2N80E-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIHD2N80E-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	E
SIHD2N80E-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD2N80E-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIHD2N80E-GE3-FT

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