casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHD7N60ET5-GE3
codice articolo del costruttore | SIHD7N60ET5-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHD7N60ET5-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHD7N60ET5-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHD7N60ET5-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHD7N60ET5-GE3-FT |
SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH21N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH24N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH26N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH26N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHH27N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8851EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SIHP16N50C-E3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel