casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHA14N60E-E3
codice articolo del costruttore | SIHA14N60E-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHA14N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHA14N60E-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 309 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1205pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHA14N60E-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHA14N60E-E3-FT |
SQ3460EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3469EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHH20N50E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5419DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5458DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5456DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5486DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5486DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHF30N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N50C-E3
Vishay Siliconix
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel