casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIDR140DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIDR140DP-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIDR140DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIDR140DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 79A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.67 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8150pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8DC |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR140DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIDR140DP-T1-GE3-FT |
SQM120N04-1M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N04-1M9_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N06-06_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
SQM25N15-52_GE3
Vishay Siliconix
SQM30010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40022E_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel