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Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3

Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3
Price: 1.67204 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (609 reviews)

Numero parte MFG: SQM120P10_10M1LGE3

quantità disponibile: 44370 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.67204

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQM120P10_10M1LGE3.pdf

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SQM120P10_10M1LGE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQM120P10_10M1LGE3
Numero di parte futuro	FT-SQM120P10_10M1LGE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM120P10_10M1LGE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM120P10_10M1LGE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQM120P10_10M1LGE3-FT

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