casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQM120N06-06_GE3
codice articolo del costruttore | SQM120N06-06_GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SQM120N06-06_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM120N06-06_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6495pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM120N06-06_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQM120N06-06_GE3-FT |
SIR401DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR403EDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR406DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR408DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR412DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR416DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR418DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR424DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR432DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel