casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQ4940AEY-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ4940AEY-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ4940AEY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ4940AEY-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 741pF @ 20V |
Potenza - Max | 4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4940AEY-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ4940AEY-T1_GE3-FT |
SI4834CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4834CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4906DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4906DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4908DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4908DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4913DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4913DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F256C7N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4N
Intel
EPF10K70RC240-4N
Intel