casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQ9945BEY-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ9945BEY-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ9945BEY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ9945BEY-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Potenza - Max | 4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ9945BEY-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ9945BEY-T1_GE3-FT |
SI4908DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4910DY-T1-GE3
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SI4913DY-T1-E3
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SI4913DY-T1-GE3
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SI4914BDY-T1-E3
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SI4914BDY-T1-GE3
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SI4914DY-T1-E3
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SI4916DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4916DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
EPF10K50ETC144-3
Intel
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2
Intel
EP20K200FI484-2V
Intel
EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation