casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA915DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA915DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA915DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA915DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA915DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA915DJ-T1-GE3-FT |
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M6TB
Rohm Semiconductor
SP8M70TB1
Rohm Semiconductor
SP8M7FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M7TB
Rohm Semiconductor
SP8M8FU6TB
Rohm Semiconductor
XC6SLX75-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG676C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4SGX290FH29I3
Intel
5SGXEABN2F45I3N
Intel
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
AT6005-2JI
Microchip Technology