casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SP8M7FU6TB
codice articolo del costruttore | SP8M7FU6TB |
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Numero di parte futuro | FT-SP8M7FU6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SP8M7FU6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A, 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8M7FU6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SP8M7FU6TB-FT |
SI4816DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4818DY-T1-E3
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SI4818DY-T1-GE3
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
Intel
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Intel