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Rohm Semiconductor SP8M4FU6TB

Numero parte MFG
SP8M4FU6TB
quantità disponibile
30760 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SP8M4FU6TB specificazioni

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Numero di parte futuro FT-SP8M4FU6TB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
SP8M4FU6TB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SP8M4FU6TB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SP8M4FU6TB-FT

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