casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SP8K4FU6TB
codice articolo del costruttore | SP8K4FU6TB |
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Numero di parte futuro | FT-SP8K4FU6TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SP8K4FU6TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8K4FU6TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SP8K4FU6TB-FT |
SI4565ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4567DY-T1-E3
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SI4567DY-T1-GE3
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