casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI3590DV-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI3590DV-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3590DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3590DV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A, 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 830mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3590DV-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3590DV-T1-E3-FT |
SI7958DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7964DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7964DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7980DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7980DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7983DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7983DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
APA450-FG484A
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5N
Intel
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation