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Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3

Name: SIDR610DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR610DP-T1-GE3
Price: 1.53612 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (373 reviews)

Numero parte MFG: SIDR610DP-T1-GE3

quantità disponibile: 23770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.53612

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIDR610DP-T1-GE3.pdf

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SIDR610DP-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIDR610DP-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIDR610DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIDR610DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8DC
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDR610DP-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIDR610DP-T1-GE3-FT

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