casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI8489EDB-T2-E1
codice articolo del costruttore | SI8489EDB-T2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-SI8489EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8489EDB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Microfoot |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8489EDB-T2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI8489EDB-T2-E1-FT |
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR610DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR638DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQS407ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS411ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS415ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS482ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation