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Vishay Siliconix SQS482ENW-T1_GE3

Name: SQS482ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS482ENW-T1_GE3
Price: 0.331408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (740 reviews)

Numero parte MFG: SQS482ENW-T1_GE3

quantità disponibile: 26780 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.331408

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQS482ENW-T1_GE3.pdf

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SQS482ENW-T1_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQS482ENW-T1_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQS482ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS482ENW-T1_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1865pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8W
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8W
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS482ENW-T1_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQS482ENW-T1_GE3-FT

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