casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI7997DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7997DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7997DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7997DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 15V |
Potenza - Max | 46W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7997DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7997DP-T1-GE3-FT |
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8207(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
UPA1764G-E2-AZ
Renesas Electronics America
MCQ4503-TP
Micro Commercial Co
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXMA3K2F35C2LN
Intel
EP3SL340H1152I3N
Intel
XC5VFX30T-1FF665CES
Xilinx Inc.
XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.