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Toshiba Semiconductor and Storage TPC8212-H(TE12LQ,M

Name: TPC8212-H(TE12LQ,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8212-H(TE12LQ,M
Availability: InStock
Rating: 4.9 (57 reviews)

Numero parte MFG: TPC8212-H(TE12LQ,M

quantità disponibile: 33000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

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TPC8212-H(TE12LQ,M specificazioni

codice articolo del costruttore	TPC8212-H(TE12LQ,M
Numero di parte futuro	FT-TPC8212-H(TE12LQ,M
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TPC8212-H(TE12LQ,M Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
Potenza - Max	450mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP (5.5x6.0)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC8212-H(TE12LQ,M Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TPC8212-H(TE12LQ,M-FT

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