casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / TPC8207(TE12L,Q)
codice articolo del costruttore | TPC8207(TE12L,Q) |
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Numero di parte futuro | FT-TPC8207(TE12L,Q) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPC8207(TE12L,Q) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 4.8A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2010pF @ 10V |
Potenza - Max | 450mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8207(TE12L,Q) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPC8207(TE12L,Q)-FT |
SI4913DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4913DY-T1-GE3
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SI4914BDY-T1-E3
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel