casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7461DP-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7461DP-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7461DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7461DP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7461DP-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7461DP-T1-E3-FT |
SIS334DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS426DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS430DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS436DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS438DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS448DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS452DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS454DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel