casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIS452DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIS452DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIS452DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIS452DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS452DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIS452DN-T1-GE3-FT |
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7421DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7121ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel