casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIS438DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIS438DN-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIS438DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIS438DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS438DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIS438DN-T1-GE3-FT |
SI7114DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7421DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7121ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel