casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7456CDP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7456CDP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7456CDP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7456CDP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 35.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7456CDP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7456CDP-T1-GE3-FT |
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR626LDP-T1-RE3
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SIR826BDP-T1-RE3
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SIR878BDP-T1-RE3
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SIRA02DP-T1-GE3
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SIRA04DP-T1-GE3
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SIRA06DP-T1-GE3
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SIRA12DP-T1-GE3
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SIRA14DP-T1-GE3
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SIRA18ADP-T1-GE3
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