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Vishay Siliconix SIR826BDP-T1-RE3

Name: SIR826BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR826BDP-T1-RE3
Price: 0.62976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (506 reviews)

Numero parte MFG: SIR826BDP-T1-RE3

quantità disponibile: 57440 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.62976

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIR826BDP-T1-RE3.pdf

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SIR826BDP-T1-RE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIR826BDP-T1-RE3
Numero di parte futuro	FT-SIR826BDP-T1-RE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIR826BDP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3030pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR826BDP-T1-RE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIR826BDP-T1-RE3-FT

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