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Vishay Siliconix SIR878BDP-T1-RE3

Name: SIR878BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR878BDP-T1-RE3
Price: 0.64288 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (665 reviews)

Numero parte MFG: SIR878BDP-T1-RE3

quantità disponibile: 38160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.64288

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIR878BDP-T1-RE3.pdf

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SIR878BDP-T1-RE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIR878BDP-T1-RE3
Numero di parte futuro	FT-SIR878BDP-T1-RE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET® Gen IV
SIR878BDP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 42.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR878BDP-T1-RE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIR878BDP-T1-RE3-FT

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