casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7119DN-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI7119DN-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7119DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7119DN-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7119DN-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7119DN-T1-E3-FT |
SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60S-GE3
Vishay Siliconix
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel