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Vishay Siliconix SIHB24N65ET5-GE3

Numero parte MFG
SIHB24N65ET5-GE3
quantità disponibile
68090 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.8116
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
E MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SIHB24N65ET5-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie E
SIHB24N65ET5-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHB24N65ET5-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SIHB24N65ET5-GE3-FT

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